на эмиттере

См. также в других словарях:

• напряжение смещения на эмиттере — emiterio priešįtampis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. emitter bias vok. Emittervorspannung, f rus. напряжение смещения на эмиттере, n pranc. tension préalable d émetteur, f …   Automatikos terminų žodynas

• напряжение на эмиттере фототранзистора — Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. Обозначение Uбэ Uкэ UEB UEC [ГОСТ 21934 83] Тематики приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр. EN emitter voltage DE Emitterspannung FR… …   Справочник технического переводчика

• напряжение смещения на эмиттере — эмиттерное смещение — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999] Тематики электротехника, основные понятия Синонимы эмиттерное смещение EN emitter bias …   Справочник технического переводчика

• Напряжение на эмиттере фототранзистора — 103. Напряжение на эмиттере фототранзистора D. Emitterspannung E. Emitter voltage F. Tension d émetteur Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора UEC Источник …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… …   Физическая энциклопедия

• ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• СВЕРХИНЖЕКЦИЯ — явление, возникающее при инжекции неосновныхносителей заряда в гетеропереходе, заключающееся в превышении концентрациинеосновных носителей в материале, в к рый происходит инжек ция, по сравнениюс концентрацией носителей в эмиттере. С. электронов… …   Физическая энциклопедия

• ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …   Энциклопедия Кольера

• ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ — испускание электронов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум или др. среду. Выйти из тела могут только те электроны, энергия к рых больше энергии покоящегося вне эмиттера электрона (см. Работа выхода). Число таких электронов (обычно это электроны …   Физическая энциклопедия

• Время восстановления — обратного сопротивления базы диода  это переходный процесс, возникающий при переключении диода из проводящего состояния (прямого) в закрытое. Процесс обратного восстановления (ОВ) в большей степени характерен диодам на p n переходе, в отличие от… …   Википедия

• Обратное восстановление — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей …   Википедия